Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
HERF1005GHC0G
-
Taiwan Semiconductor
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PSFM-T3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:3
- Артикул Производителя:HERF1005GHC0G
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Описание пакета:R-PSFM-T3
- Ранг риска:5.28
- Максимальное напряжение включения:1.3 V
- Количество элементов:2
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Код ECCN:EAR99
- Применение:EFFICIENCY
- Дополнительная Характеристика:LOW POWER LOSS
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Выводная мощность-макс:5 A
- Количество фаз:1
- Максимальное обратное напряжение:400 V
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная прямая сила тока в пакете:125 A
- Максимальный обратный ток:10 µA
- Время обратной восстановительной максимальная:0.05 µs
Со склада 0
Итого $0.00000