Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
HN1C03FBTE85L
-
Toshiba
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:HN1C03FBTE85L
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Ранг риска:5.64
- Количество элементов:2
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Траниционный частотный предел (fT):30 MHz
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Максимальный ток коллектора (IC):0.3 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):350
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:20 V
- Максимальное напряжение на выходе:0.1 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс:7 pF
Со склада 0
Итого $0.00000