(0)
Изображение служит лишь для справки
HN2D01FUTE85R
Lagernummer 258
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：6
- Артикул Производителя：HN2D01FUTE85R
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.68
- Максимальное напряжение включения：1.2 V
- Количество элементов：3
- Температура работы-Макс：125 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния：0.6 W
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.70
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 3 ELEMENTS
- Тип диода：RECTIFIER DIODE
- Выводная мощность-макс：0.08 A
- Максимальная прямая сила тока в пакете：1 A
- Максимальный обратный ток：0.5 µA
- Время обратной восстановительной максимальная：0.004 µs
Со склада 258
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
