(0)
Изображение служит лишь для справки
IS43TR16640BL-125KBL
-
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
-
Разъемы памяти - Аксессуары
- 96-TFBGA
- 1G, 1.35V, DDR3L, 64MX16, 1600MT/S @ 11-11-11, 96 BALL BGA (9MM X13MM) ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：96-TFBGA
- Поставщик упаковки устройства：96-TWBGA (9x13)
- Количество терминалов：96
- Количество слов：67108864 words
- Количество кодовых слов：64000000
- Температура работы-Макс：85 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：TFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.35 V
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Ранг риска：6.85
- Описание пакета：TFBGA,
- Производитель IHS：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：IS43TR16640BL-125KBL
- Пакет：Tray
- Основной номер продукта：IS43TR16640
- Mfr：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Состояние продукта：Obsolete
- Типы памяти：Volatile
- Рабочая температура：0°C ~ 95°C (TC)
- Серия：Automotive, AEC-Q100
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.32
- Напряжение - Питание：1.283V ~ 1.45V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PBGA-B96
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.45 V
- Градация температуры：OTHER
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.283 V
- Размер памяти：1Gbit
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：800 MHz
- Время доступа：20 ns
- Формат памяти：DRAM
- Интерфейс памяти：Parallel
- Организация：64MX16
- Максимальная высота посадки：1.2 mm
- Ширина памяти：16
- Время цикла записи - слово, страница：15ns
- Плотность памяти：1073741824 bit
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
- Автоперезапись：YES
- Организация памяти：64M x 16
- Ширина：9 mm
- Длина：13 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
