HS3KR6G

Name: Taiwan Semiconductor HS3KR6G
Brand: Taiwan Semiconductor
Rating: 4.5 (19 reviews)

Lagernummer 31

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DO-214AB, SMC
Поставщик упаковки устройства：DO-214AB (SMC)
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Артикул Производителя：HS3KR6G
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Описание пакета：R-PDSO-C2
Ранг риска：5.1
Максимальное напряжение включения：1.7 V
Уровни чувствительности к влажности：1
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Пакет：Tape & Reel (TR)
Mfr：Taiwan Semiconductor Corporation
Состояние продукта：Discontinued at Digi-Key
Серия：-
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Применение：EFFICIENCY
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-C2
Конфигурация：SINGLE
Скорость：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：RECTIFIER DIODE
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：10 µA @ 800 V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：1.7 V @ 3 A
Температура работы - переходная：-55°C ~ 150°C
Выводная мощность-макс：3 A
Максимальное обратное напряжение (Вр)：800 V
Ток - Средний прямоугольный：3A
Количество фаз：1
Максимальное обратное напряжение：800 V
Код JEDEC-95：DO-214AB
Емкость @ Vr, Ф：50pF @ 4V, 1MHz
Максимальная прямая сила тока в пакете：150 A
Максимальный обратный ток：10 µA
Время обратной восстановительной максимальная：0.075 µs
Время обратной рекомпенсации (trr)：75 ns

Со склада 31

Итого $0.00000