(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB47N10SL-26
Изображение служит лишь для справки
IPB47N10SL-26
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：YES
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：End Of Life
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Ранг риска：5.17
- Максимальный ток утечки (ID)：47 A
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Артикул Производителя：IPB47N10SL-26
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Состояние продукта：Active
- Максимальная мощность рассеяния：175W (Tc)
- Mfr：Infineon Technologies
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：47A (Tc)
- Пакет：Bulk
- Серия：SIPMOS®
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26mOhm @ 33A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 2mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2500 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：135 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：47 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.04 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：188 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：400 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：175 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
