(0)
Изображение служит лишь для справки
IS46LQ32128A-062BLA2
-
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
-
Разъемы памяти - Аксессуары
- 200-WFBGA
- AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128MX32, 1600MHZ, 200 BALL BGA (10Mm x 14.5MM) ROHS
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：24 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：200-WFBGA
- Поставщик упаковки устройства：200-VFBGA (10x14.5)
- Количество терминалов：200
- Артикул Производителя：IS46LQ32128A-062BLA2
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Описание пакета：FBGA-200
- Ранг риска：5.61
- Количество слов：134217728 words
- Количество кодовых слов：128000000
- Температура работы-Макс：105 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код пакета：VFBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
- Пакет：Bulk
- Mfr：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Состояние продукта：Active
- Типы памяти：Volatile
- Пакетная партия производителя：136
- Бренд：ISSI
- РХОС：Details
- Рабочая температура：-40°C ~ 105°C (TC)
- Серия：Automotive, AEC-Q100
- Дополнительная Характеристика：TERM PITCH-MAX
- Подкатегория：Memory & Data Storage
- Напряжение - Питание：1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：0.8 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PBGA-B200
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.95 V
- Градация температуры：INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.7 V
- Размер памяти：4Gbit
- Количество портов：1
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Частота часов：1.6 GHz
- Время доступа：3.5 ns
- Формат памяти：DRAM
- Интерфейс памяти：LVSTL
- Организация：128MX32
- Максимальная высота посадки：0.8 mm
- Ширина памяти：32
- Время цикла записи - слово, страница：18ns
- Тип продукта：DRAM
- Плотность памяти：4294967296 bit
- Тип микросхемы памяти：DDR DRAM
- Режим доступа：MULTI BANK PAGE BURST
- Категория продукта：DRAM
- Организация памяти：128M x 32
- Длина：14.5 mm
- Ширина：10 mm
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
