JANTX2N3440L

Name: Microchip JANTX2N3440L
Brand: Microchip
Rating: 5 (6 reviews)

Microchip
Интегральные схемы (ИС)
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin TO-5
Date Sheet

Lagernummer 31

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Поверхностный монтаж：NO
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-5
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：JANTX2N3440L
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Код упаковки компонента：TO-5
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Ранг риска：1.46
Количество элементов：1
Температура работы-Макс：200 °C
Материал корпуса пакета：METAL
Форма упаковки：ROUND
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Время отключения макс. (toff)：10000 ns
Время включения макс. (ton)：1000 ns
Полярность транзистора：NPN
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
Основной номер продукта：2N3440
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Пакетная партия производителя：1
Бренд：Microchip / Microsemi
РХОС：N
Диэлектрический пробой напряжение：250 V
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/368
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Максимальная потеря мощности：800 mW
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Нормативная Марка：MIL-19500
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：SINGLE
Распад мощности：5
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：800 mW
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：500 mV
Максимальный ток сбора：1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 20mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：2µA
Код JEDEC-95：TO-5
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 4mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：250 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：300 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.8 W
Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
Прямоходящий ток коллектора：1
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：250 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 31

Итого $0.00000