Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N5153U3
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- 3-SMD, No Lead
- PNP Silicon Low Power Transistor 80VDC 3-Pin U-3 Tray
Date Sheet
Lagernummer 2667
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Поверхностный монтаж：YES
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, No Lead
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：U3
- Артикул Производителя：JANTXV2N5153U3
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：1.35
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 mA
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5.5 V
- Распад мощности：100 W
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Бренд：Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора：2 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：200
- РХОС：N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
- Расписание В：8541100080, 8541290080
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/545
- Пакетирование：Tray
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Максимальная потеря мощности：1 W
- Технология：Si
- Код соответствия REACH：compliant
- Конфигурация：Single
- Мощность - Макс：1.16 W
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
- Максимальный ток сбора：2 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 2.5A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 500mA, 5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：70
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 2667
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты