(0)
Изображение служит лишь для справки
JANTX2N6193
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- JANTX Series 100 V 5 A Through Hole PNP Medium Power Silicon Transistor - TO-39
Date Sheet
Lagernummer 6
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Поверхностный монтаж：NO
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Покрытие контактов：Lead, Tin
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-39
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：JANTX2N6193
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента：TO-39
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Ранг риска：1.65
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：200 °C
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT)：30 MHz
- Время отключения макс. (toff)：2200 ns
- Время включения макс. (ton)：200 ns
- Полярность транзистора：PNP
- Эмиттер-основное напряжение：6(V)
- Формат упаковки：TO-39
- Токовая напряжение коллектора-эммитера：100(V)
- Категория：Bipolar Power
- Диапазон рабочей температуры：-65C to 200C
- Коллекторный ток (постоянный)：5(A)
- Уголок постоянного тока：60
- Монтаж：Through Hole
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
- Основной номер продукта：2N6193
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Распад мощности：1 W
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：60 at 2 A, 2 VDC
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Бренд：Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора：5 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：240 at 2 A, 2 VDC
- РХОС：N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：100 V
- Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Пакетирование：Bag
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C
- Серия：MIL-PRF-19500/561
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Максимальная потеря мощности：1 W
- Технология：Si
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Нормативная Марка：MIL-19500/561
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Направленность：PNP
- Конфигурация：SINGLE
- Распад мощности：10
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Выводная мощность：Not Required(W)
- Мощность - Макс：1 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100 V
- Максимальный ток сбора：5 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 2A, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100µA
- Код JEDEC-95：TO-39
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 500mA, 5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：100 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：60
- Прямоходящий ток коллектора：5
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 6
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
