(0)
Изображение служит лишь для справки
JANS2N5666U3
-
Microchip
-
Интегральные схемы (ИС)
- 3-SMD, Flat Lead
- Trans GP BJT NPN 200V 5A 3-Pin SMD
Date Sheet
Lagernummer 722
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Lead
- Поставщик упаковки устройства：U3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：JANS2N5666U3
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Описание пакета：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
- Ранг риска：5.32
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：200 °C
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Время：NOT SPECIFIED
- Пакетная партия производителя：1
- Бренд：Microchip / Microsemi
- РХОС：N
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
- Основной номер продукта：2N5666
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/455
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Нормативная Марка：MIL-19500/455E
- Код JESD-30：R-CBCC-N3
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：1.5 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 1A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：200nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 1A, 5A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：200 V
- Частота - Переход：-
- Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：40
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：200 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 722
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
