Изображение служит лишь для справки
JANTX2N5672
- Microchip
- Интегральные схемы (ИС)
- TO-3-2
- Trans GP BJT NPN 120V 30A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
- Date Sheet
Lagernummer 2753
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Корпус / Кейс:TO-3-2
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-3
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:JANTX2N5672
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента:TO-3
- Описание пакета:TO-3, 2 PIN
- Ранг риска:1.65
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:200 °C
- Материал корпуса пакета:METAL
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT):50 MHz
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:7 V
- Распад мощности:6 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:20
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:-
- Бренд:Microchip / Microsemi
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:100
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:120 V
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):30 A
- Основной номер продукта:2N5672
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/488
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:2
- Нормативная Марка:MIL-19500/488C
- Код JESD-30:O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус:Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:6 W
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 20A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10mA
- Код JEDEC-95:TO-204AA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:5V @ 6A, 30A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):120 V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):150 V
- Максимальный ток коллектора (IC):30 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):20
- Прямоходящий ток коллектора:30 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:120 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 2753
Итого $0.00000