Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

JAN2N6989

Lagernummer 9

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:14-DIP (0.300, 7.62mm)
  • Поставщик упаковки устройства:TO-116
  • Количество терминалов:14
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:JAN2N6989
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Код упаковки компонента:DIP
  • Описание пакета:DIP-14
  • Ранг риска:5.22
  • Количество элементов:4
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:IN-LINE
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):800mA
  • Основной номер продукта:2N6989
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Вес единицы:0.014110 oz
  • Пакетная партия производителя:1
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • РХОС:N
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:Military, MIL-PRF-19500/559
  • Пакетирование:Tube
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:14
  • Нормативная Марка:MIL-19500/559F
  • Код JESD-30:R-PDIP-T14
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Конфигурация:SEPARATE, 4 ELEMENTS
  • Мощность - Макс:1.5W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:4 NPN (Quad)
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10µA (ICBO)
  • Код JEDEC-95:TO-116
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
  • Частота - Переход:-
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.8 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):100
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 9

Итого $0.00000