Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

JAN2N2060L

Lagernummer 15

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-78-6 Metal Can
  • Количество контактов:6
  • Поставщик упаковки устройства:TO-78-6
  • Количество терминалов:6
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:JAN2N2060L
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W6
  • Ранг риска:5.21
  • Количество элементов:2
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:CYLINDRICAL
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • РХОС:Non-Compliant
  • Пакетная партия производителя:1
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):500mA
  • Основной номер продукта:2N2060
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетирование:Bulk
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:Military, MIL-PRF-19500/270
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Максимальная рабочая температура:125 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
  • Максимальная потеря мощности:600 mW
  • Технология:Si
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:WIRE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Нормативная Марка:MIL-19500/270
  • Код JESD-30:O-MBCY-W6
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS
  • Мощность - Макс:2.12W
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:2 NPN (Dual)
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60 V
  • Максимальный ток сбора:500 mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:50 @ 10mA, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):10µA (ICBO)
  • Код JEDEC-95:TO-78
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 50mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100 V
  • Максимальная потеря мощности (абс.):0.5 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.5 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):50
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:60 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
  • Корпусировка на излучение:No

Со склада 15

Итого $0.00000