Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Форма упаковки:LONG FORM
- Форма упаковки:ELLIPTICAL
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Температура работы-Макс:175 °C
- Количество элементов:1
- Максимальное напряжение включения:1.1 V
- Ранг риска:5.57
- Описание пакета:E-LALF-W2
- Производитель IHS:HITACHI LTD
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Артикул Производителя:V03G
- Код ECCN:EAR99
- Применение:GENERAL PURPOSE
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
- Положение терминала:AXIAL
- Форма вывода:WIRE
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:E-LALF-W2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Выводная мощность-макс:1.3 A
- Количество фаз:1
- Максимальное обратное напряжение:600 V
- Максимальная прямая сила тока в пакете:40 A
- Время обратной восстановительной максимальная:3 µs
Со склада 0
Итого $0.00000