Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Артикул Производителя:V68
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:KNOX SEMICONDUCTORS INC
  • Код упаковки компонента:DO-7
  • Описание пакета:O-LALF-W2
  • Ранг риска:5.89
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-65 °C
  • Материал корпуса пакета:GLASS
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Максимальная мощность рассеяния:0.4 W
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Дополнительная Характеристика:LOW LEAKAGE
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:2
  • Код JESD-30:O-LALF-W2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Максимальное обратное напряжение:17 V
  • Максимальный обратный ток:1e-7 µA
  • Минимальная напряжение разрушения:17 V
  • Обратная тестовая напряжение:15 V
  • Диод Капацитирующий-Ном:68 pF
  • Диод Кап Допуск:20%
  • Коэффициент качества-Мин:9
  • Соотношение минимальной диодной ёмкости:3.5

Со склада 0

Итого $0.00000