Изображение служит лишь для справки
2SK3798
- Toshiba
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Количество элементов:1
- Максимальный ток утечки (ID):4 A
- Ранг риска:5.32
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Код упаковки компонента:SC-67
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Код цикла жизни компонента:Active
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:2SK3798
- РХОС:Non-Compliant
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):4 A
- Сопротивление открытого канала-макс:3.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:12 A
- Минимальная напряжённость разрушения:900 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):345 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):40 W
Со склада 0
Итого $0.00000