Изображение служит лишь для справки
BCY78-VIII
- Central Semiconductor
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- Bipolar Transistors - BJT PNP 32Vcbo 5.0Vebo 100mA 340mW 1W
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:BCY78-VIII
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.24
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:200 °C
- Материал корпуса пакета:METAL
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:CYLINDRICAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
- Время отключения макс. (toff):400 ns
- Время включения макс. (ton):100 ns
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Код JEDEC-95:TO-18
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.6 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):45
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:32 V
Со склада 0
Итого $0.00000