(0)
Изображение служит лишь для справки
KSH112-I
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：KSH112-I
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：IPAK-3
- Ранг риска：5.72
- Количество элементов：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Траниционный частотный предел (fT)：25 MHz
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.06
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：200
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
