Изображение служит лишь для справки
MTM25N10
-
MOTOROLA
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- MOSFET Transistor, N-Channel, TO-204AE
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：MTM25N10
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Ранг риска：8.8
- Максимальный ток утечки (ID)：25 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время отключения макс. (toff)：450 ns
- Время включения макс. (ton)：510 ns
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-204AE
- Максимальный сливовой ток (ID)：25 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.075 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：105 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：400 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：150 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты