Изображение служит лишь для справки
MTP2N20
- MOTOROLA
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:MTP2N20
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MOTOROLA INC
- Ранг риска:8.67
- Максимальный ток утечки (ID):2 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Время отключения макс. (toff):45 ns
- Время включения макс. (ton):50 ns
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID):2 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:6 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):50 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):50 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:50 W
Со склада 0
Итого $0.00000