(0)
Изображение служит лишь для справки
MQUPT12RTR13E3
-
Microsemi
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PDSO-G1
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：1
- Артикул Производителя：MQUPT12RTR13E3
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента：DO-216AA
- Описание пакета：R-PDSO-G1
- Ранг риска：5.73
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная мощность рассеяния：2.5 W
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Дополнительная Характеристика：LOW LEAKAGE CURRENT
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-PDSO-G1
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Сокетная связка：CATHODE
- Максимальное обратное напряжение：12 V
- Код JEDEC-95：DO-216AA
- Максимальная мощность разрядки：150 W
- Минимальная напряжение разрушения：13.8 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
