Изображение служит лишь для справки
5.0SMDJ64AR6G
-
Taiwan Semiconductor
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- R-PDSO-C2
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Surface Mount：YES
- Diode Element Material：SILICON
- Number of Terminals：2
- Manufacturer Part Number：5.0SMDJ64AR6G
- Rohs Code：Yes
- Part Life Cycle Code：Active
- Ihs Manufacturer：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Package Description：R-PDSO-C2
- Risk Rank：5.69
- Breakdown Voltage-Nom：74.85 V
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：SMALL OUTLINE
- Power Dissipation (Max)：6.25 W
- JESD-609 Code：e3
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：C BEND
- Reach Compliance Code：compliant
- JESD-30 Code：R-PDSO-C2
- Polarity：UNIDIRECTIONAL
- Configuration：SINGLE
- Diode Type：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Rep Pk Reverse Voltage-Max：64 V
- JEDEC-95 Code：DO-214AB
- Non-rep Peak Rev Power Dis-Max：5000 W
- Breakdown Voltage-Min：71.1 V
- Clamping Voltage-Max：103 V
- Breakdown Voltage-Max：78.6 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты