(0)
Изображение служит лишь для справки
BC847B-7
-
Diodes Incorporated
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Вес：7.994566 mg
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：BC847B-7
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：DIODES INC
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Ранг риска：5
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：10
- Траниционный частотный предел (fT)：300 MHz
- Минимальная частота работы в герцах：200
- РХОС：Non-Compliant
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn85Pb15)
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Максимальная потеря мощности：300 mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：235
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：SINGLE
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Продуктивность полосы частот：300 MHz
- Полярность/Тип канала：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45 V
- Максимальный ток сбора：100 mA
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：200
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：45 V
- Ширина：1.4 mm
- Высота：1 mm
- Длина：3.05 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
