(0)
Изображение служит лишь для справки
BSM30GD60DLCE3224BOSA1
-
Infineon
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：17
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：BSM30GD60DLCE3224BOSA1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Код упаковки компонента：MODULE
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
- Ранг риска：5.64
- Количество элементов：6
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：103 ns
- Время включения (тон)：39 ns
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：17
- Код JESD-30：R-XUFM-X17
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：40 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
