Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

BC857B-AU_R1_000A1

Lagernummer 1802

  • 1+: $0.11568
  • 10+: $0.10913
  • 100+: $0.10296
  • 500+: $0.09713
  • 1000+: $0.09163

Zwischensummenbetrag $0.11568

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Корпус / Кейс:SOT-23-3
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Поставщик упаковки устройства:SOT-23
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:BC857B-AU_R1_000A1
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:PAN JIT INTERNATIONAL INC
  • Ранг риска:5.54
  • Количество элементов:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Tim:NOT SPECIFIED
  • Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
  • Квалификация:AEC-Q101
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Распад мощности:330 mW
  • Полярность транзистора:PNP
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:220
  • Вес единицы:0.000296 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:3000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:200 MHz
  • Бренд:Panjit
  • Максимальный постоянный ток сбора:200 mA
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:475
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:45 V
  • Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):100 mA
  • Mfr:Panjit International Inc.
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетирование:MouseReel
  • Рабочая температура:-50°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:-
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Нормативная Марка:AEC-Q101
  • Код JESD-30:R-PDSO-G3
  • Конфигурация:SINGLE
  • Мощность - Макс:330 mW
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:PNP
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):15nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):45 V
  • Частота - Переход:200MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50 V
  • Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):220
  • Прямоходящий ток коллектора:- 100 mA
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:45 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 1802

  • 1+: $0.11568
  • 10+: $0.10913
  • 100+: $0.10296
  • 500+: $0.09713
  • 1000+: $0.09163

Итого $0.11568