Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Температура работы-Макс:150 °C
- Количество элементов:1
- Ранг риска:5.73
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Код цикла жизни компонента:Active
- Артикул Производителя:BU911
- РХОС:Non-Compliant
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:DARLINGTON
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Полярность/Тип канала:NPN
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальная потеря мощности (абс.):60 W
- Максимальный ток коллектора (IC):6 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:400 V
- Максимальное напряжение на выходе:1.8 V
Со склада 0
Итого $0.00000