(0)
Изображение служит лишь для справки
BSS8402DWT/R7
-
Panjit
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: BSS8402DW_R1_00001)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：BSS8402DWT/R7
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：PAN JIT INTERNATIONAL INC
- Код упаковки компонента：SC-70
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Ранг риска：5.05
- Максимальный ток утечки (ID)：0.115 A
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.13 A
- Сопротивление открытого канала-макс：7 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
