Изображение служит лишь для справки
BZV79C7V5L1G
- Taiwan Semiconductor
- Интегральные схемы (ИС)
- -
- O-LELF-R2
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:2
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Описание пакета:O-LELF-R2
- Ранг риска:5.61
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:200 °C
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Материал корпуса пакета:GLASS
- Форма упаковки:ROUND
- Форма упаковки:LONG FORM
- Максимальная мощность рассеяния:0.5 W
- Номинальный напряжений отсчета:7.5 V
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Артикул Производителя:BZV79C7V5L1G
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.50
- Положение терминала:END
- Форма вывода:WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:O-LELF-R2
- Направленность:UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация:SINGLE
- Тип диода:ZENER DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Допустимый напряжений предел:6.04%
- Код JEDEC-95:DO-213AC
- Тестовая рабочая токовая струя:5 mA
Со склада 0
Итого $0.00000