Изображение служит лишь для справки
HYB25DC512800CE-5
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:66
- Артикул Производителя:HYB25DC512800CE-5
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:QIMONDA AG
- Код упаковки компонента:TSOP2
- Описание пакета:TSOP2, TSSOP66,.46
- Ранг риска:5.73
- Время доступа-максимум:0.5 ns
- Частота часовного генератора макс. (fCLK):200 MHz
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество слов:67108864 words
- Количество кодовых слов:64000000
- Температура работы-Макс:70 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код пакета:TSOP2
- Код эквивалентности пакета:TSSOP66,.46
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Номинальное напряжение питания (Вн):2.6 V
- Максимальная температура рефлоу:40
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:AUTO/SELF REFRESH
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.28
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.65 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:66
- Код JESD-30:R-PDSO-G66
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):2.7 V
- Блоки питания:2.6 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):2.5 V
- Количество портов:1
- Режим работы:SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.23 mA
- Организация:64MX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:8
- Ток ожидания-макс:0.0046 A
- Плотность памяти:536870912 bit
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:DDR DRAM
- Обновляющие циклы:8192
- Секвентальный длина импульса:2,4,8
- Межстрочный длина пакета:2,4,8
- Режим доступа:FOUR BANK PAGE BURST
- Автоперезапись:YES
- Длина:22.22 mm
- Ширина:10.16 mm
Со склада 0
Итого $0.00000