(0)
Изображение служит лишь для справки
HFU2N60
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：HFU2N60
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO LTD
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Ранг риска：5.76
- Максимальный ток утечки (ID)：1.8 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：IN-LINE
- Время отключения макс. (toff)：124 ns
- Время включения макс. (ton)：88 ns
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-251
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.8 A
- Сопротивление открытого канала-макс：5 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：44 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：3 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
