IDT71V65603S150BG

Name: Renesas Electronics America IDT71V65603S150BG
Brand: Renesas Electronics America
Rating: 4.8 (6 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：119
Артикул Производителя：IDT71V65603S150BG
Рохс Код：No
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Код упаковки компонента：BGA
Описание пакета：BGA, BGA119,7X17,50
Ранг риска：5.09
Время доступа-максимум：3.8 ns
Уровни чувствительности к влажности：3
Количество слов：262144 words
Количество кодовых слов：256000
Температура работы-Макс：70 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код пакета：BGA
Код эквивалентности пакета：BGA119,7X17,50
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：GRID ARRAY
Номинальное напряжение питания (Вн)：3.3 V
Максимальная температура рефлоу：20
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：3A991.B.2.A
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn63Pb37)
Дополнительная Характеристика：PIPELINED ARCHITECTURE
Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：BALL
Температура пайки (пиковая) (°C)：225
Количество функций：1
Шаг выводов：1.27 mm
Код соответствия REACH：not_compliant
Число контактов：119
Код JESD-30：R-PBGA-B119
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение питания максимальное (Vпит)：3.465 V
Блоки питания：3.3 V
Градация температуры：COMMERCIAL
Напряжение питания минимальное (Vпит)：3.135 V
Режим работы：SYNCHRONOUS
Максимальный ток подачи：0.325 mA
Организация：256KX36
Характеристики выдачи：3-STATE
Максимальная высота посадки：2.36 mm
Ширина памяти：36
Ток ожидания-макс：0.04 A
Плотность памяти：9437184 bit
Параллельный/Серийный：PARALLEL
Тип ввода/вывода：COMMON
Тип микросхемы памяти：ZBT SRAM
Минимальная напряжение спящего режима：3.14 V
Длина：22 mm
Ширина：14 mm

Со склада 0

Итого $0.00000