(0)
Изображение служит лишь для справки
IRS2106SPBF
-
Infineon Technologies
-
PMIC - Драйверы затворов
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 50000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Настройка драйвера：High-Side or Low-Side
- Логическое напряжение-ниже-уровня, выше-уровня：0.8V 2.5V
- Время отключения：30 ns
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：1996
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：2 (1 Year)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：625mW
- Напряжение - Питание：10V~20V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Количество функций：1
- Напряжение питания：15V
- Основной номер части：IRS2106SPBF
- Количество выходов：2
- Выводной напряжение：620V
- Максимальный выходной ток：600mA
- Блоки питания：15V
- Номинальный ток питания：180μA
- Распад мощности：625mW
- Ток выпуска：290mA
- Максимальный текущий ток подачи：180μA
- Задержка распространения：300 ns
- Входной тип：Non-Inverting
- Время задержки включения：30 ns
- Время подъема：220ns
- Время падения (тип)：80 ns
- Время запуска：200 ns
- Время подъёма / падения (тип)：100ns 35ns
- Тип интерфейсного микросхемы：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
- Канальный тип：Independent
- Время включения：0.3 μs
- Вид входа：IGBT, N-Channel MOSFET
- Ток - Пиковый выход (Исток, Сток)：290mA 600mA
- Защитные функции：TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
- Напряжение на высокой стороне - макс.：600V
- Высота：1.4986mm
- Длина：4.9784mm
- Ширина：3.9878mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 50000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
