(0)
Изображение служит лишь для справки
2N6790TXV
-
Intersil
-
Неклассифицированные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Поставщикская упаковка：SOT-89
- Диапазон входного напряжения：10 V
- Максимальное напряжение входное：10 V
- Монтаж：Surface Mount
- РХОС：Non-Compliant
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：METAL
- Артикул Производителя：2N6790TXV
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.26
- Максимальный ток утечки (ID)：3.5 A
- Рабочая температура：-40 to 85 °C
- Дополнительная Характеристика：RADIATION HARDENED
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Нормативная Марка：MILITARY STANDARD (USA)
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Функция：LDO
- Количество выходов：1
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Выводной напряжение：2.2 V
- Выводной тип：Fixed
- Направленность：Positive
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Ток выпуска：0.035 A
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-205AF
- Сопротивление открытого канала-макс：0.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：14 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Линейная регулировка：20 mV
- Регулирование нагрузки：30 mV
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
