Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BUY10CS12J-01
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- -
- CHIP CARRIER, R-PBCC-N3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Bulk
- Mfr:PEI-Genesis
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:CHIP CARRIER, R-PBCC-N3
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя:BUY10CS12J-01
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.76
- Максимальный ток утечки (ID):12.4 A
- Серия:*
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:NO LEAD
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Нормативная Марка:ESA/SCC 5205/028; RH - 100K Rad(Si)
- Код JESD-30:R-PBCC-N3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.13 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:50 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):60 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000