(0)
Изображение служит лишь для справки
DF2B6M4CT，L3F(T
-
Toshiba
-
Неклассифицированные
- -
- ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar
Date Sheet
Lagernummer 11120
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Описание пакета：R-XBCC-N2
- Форма упаковки：CHIP CARRIER
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：DF2B6M4CT,L3F(T
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：1.72
- Дополнительная Характеристика：LOW CAPACITANCE
- Технология：AVALANCHE
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：IEC-61000-4-2, 4-5
- Код JESD-30：R-XBCC-N2
- Направленность：BIDIRECTIONAL
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Максимальное обратное напряжение：5.5 V
- Максимальная мощность разрядки：30 W
- Минимальная напряжение разрушения：5.6 V
- Максимальная напряжённость разрушения：8 V
Со склада 11120
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
