Изображение служит лишь для справки
ISL9N308AD3
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- MOSFET N-Ch UltraFET Trench Logic Level
Date Sheet
Lagernummer 44479
- 1+： $0.28568
- 10+： $0.26951
- 100+： $0.25425
- 500+： $0.23986
- 1000+： $0.22629
Zwischensummenbetrag $0.28568
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：IPAK-3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：ISL9N308AD3
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Fairchild Semiconductor Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска：5.16
- Код упаковки компонента：TO-251AA
- Максимальный ток утечки (ID)：50 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-251AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：50 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.008 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：100 W
Со склада 44479
- 1+： $0.28568
- 10+： $0.26951
- 100+： $0.25425
- 500+： $0.23986
- 1000+： $0.22629
Итого $0.28568
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты