(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFPC40R
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRFPC40R
- Время включения макс. (ton)：47 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Harris Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：HARRIS SEMICONDUCTOR
- Время отключения макс. (toff)：113 ns
- Ранг риска：8.64
- Максимальный ток утечки (ID)：6.8 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Максимальный сливовой ток (ID)：6.8 A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：27 A
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：410 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：150 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
