(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFZ24NS
-
International Rectifier
-
Неклассифицированные
- -
- MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRFZ24NS
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：International Rectifier
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска：3.54
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID)：17 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：225
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：17 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.07 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：68 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：71 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：45 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：45 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
