(0)
Изображение служит лишь для справки
BSH108
-
NXP
-
Неклассифицированные
- -
- Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 / N-channel enhancement mode field-effect transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Panel Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Монтажная особенность：Flange
- Материал корпуса：Aluminum Alloy
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Напряжение, классификация：600VAC, 850VDC
- Пакет：Bulk
- Основной материал：Metal
- Основной номер продукта：KPSE
- Mfr：ITT Cannon, LLC
- Состояние продукта：Active
- Контактная поверхность совместимая：Gold
- РХОС：Non-Compliant
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSH108
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.11
- Максимальный ток утечки (ID)：1.9 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 125°C
- Серия：KPSE
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Завершение：Crimp
- Код ECCN：EAR99
- Тип соединителя：Receptacle, Female Sockets
- Количество должностей：6
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Цвет：Olive Drab
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Способ крепления：Bayonet Lock
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Максимальная токовая нагрузка (Амперы)：7.5A
- Положение терминала：DUAL
- Ориентация：W
- Форма вывода：GULL WING
- Экранирование：-
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Защита от проникновения：-
- Код соответствия REACH：compliant
- Облицовка：Olive Drab Cadmium
- Размер корпуса - вставка：10-6
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Размер корпуса, MIL：-
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.9 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.14 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.83 W
- Характеристики：Backshell
- Толщина покрытия контакта - совместимая：50.0µin (1.27µm)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
