MG50J6ES50

Name: Toshiba MG50J6ES50
Brand: Toshiba
Rating: 4.7 (20 reviews)

Toshiba
Неклассифицированные
-
N Channel Igbt High Power Switching Motor Control Applications
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：19
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Основной номер продукта：MIKM6
Mfr：ITT Cannon, LLC
Состояние продукта：Active
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Время включения (тон)：80 ns
Время отключения (toff)：200 ns
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：MG50J6ES50
Время включения макс. (ton)：160 ns
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Toshiba America Electronic Components
Количество элементов：6
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：TOSHIBA CORP
Время отключения макс. (toff)：400 ns
Время подъема макс：240 ns
Ранг риска：5.27
Серия：*
Безоловая кодировка：No
Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED
Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-XUFM-X19
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальная потеря мощности (абс.)：280 W
Максимальный ток коллектора (IC)：50 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
Максимальное напряжение на выходе：2.7 V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8 V
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：280 W
Время падения максимальное (tf)：300 ns

Со склада 0

Итого $0.00000