Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 8309

  • 1+: $0.29226
  • 10+: $0.27572
  • 100+: $0.26011
  • 500+: $0.24539
  • 1000+: $0.23150

Zwischensummenbetrag $0.29226

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:QFN
  • Глубина продукта (мм):3.2(mm)
  • Диапазон рабочей температуры:-40C to 85C
  • Монтажные варианты:Surface Mount
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
  • Распад мощности:625 mW
  • Полярность транзистора:NPN
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:30
  • Вес единицы:0.016000 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:2000
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
  • Партийные обозначения:2N5551
  • Производитель:Rectron
  • Бренд:Rectron
  • Максимальный постоянный ток сбора:600 mA
  • Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:250
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:160 V
  • Уровень применения:Industrial grade
  • Пакетирование:Bulk
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Число контактов:6
  • Конфигурация:Single
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Уровень фильтрации:INDUSTRIALC
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):180 V
  • Прямоходящий ток коллектора:0.6 A
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
  • Длина продукта (мм):5(mm)
  • Высота продукта (мм):0.75(mm)

Со склада 8309

  • 1+: $0.29226
  • 10+: $0.27572
  • 100+: $0.26011
  • 500+: $0.24539
  • 1000+: $0.23150

Итого $0.29226