JANTXV2N5415UA

Name: Microchip JANTXV2N5415UA
Brand: Microchip
Rating: 4.5 (9 reviews)

Microchip
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
4-SMD, No Lead
TRANS PNP 200V 50UA UA
Date Sheet

Lagernummer 2309

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Монтаж：Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：UA
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：50 µA
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
РХОС：Non-Compliant
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip / Microsemi
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：No
Артикул Производителя：JANTXV2N5415UA
Время включения макс. (ton)：1000 ns
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：10000 ns
Ранг риска：5.31
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/485
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：Transistors
Максимальная потеря мощности：750 mW
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：MIL-19500/485H
Код JESD-30：R-XDSO-N4
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：750 mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：200 V
Максимальный ток сбора：1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 50mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50µA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2V @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：200 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：200 V
Максимальный ток коллектора (IC)：1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：200 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 2309

Итого $0.00000