Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NE650103M
Изображение служит лишь для справки
NE650103M
-
CEL
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RF JFET Transistors
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
- Для использования с/связанными продуктами：Bench Press - Applicator
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：NE650103M
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NEC Electronics Group
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：NEC ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.11
- Максимальный ток утечки (ID)：5 A
- Серия：--
- Код JESD-609：e0
- Состояние изделия：Active
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Аксессуарный тип：Anvil
- Сокетная связка：SOURCE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：10 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты