Изображение служит лишь для справки

NP88N04KHE-E1-AY

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:Axial
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:--
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:NP88N04KHE-E1-AY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Renesas Electronics Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
  • Ранг риска:5.27
  • Код упаковки компонента:D2PAK
  • Максимальный ток утечки (ID):88 A
  • Рабочая температура:-55°C ~ 125°C
  • Серия:VTA
  • Пакетирование:Bulk
  • Размер / Размерность:0.260 Dia x 0.356 L (6.60mm x 9.04mm)
  • Допуск:±1%
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Состояние изделия:Active
  • Количество выводов:2
  • Код ECCN:EAR99
  • Коэффициент температурной зависимости:±12ppm/°C
  • Сопротивление:5 Ohms
  • Конечная обработка контакта:MATTE TIN
  • Состав:Metal Foil
  • Мощность (ватт):0.25W, 1/4W
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:4
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Срок службы:--
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-263AB
  • Максимальный сливовой ток (ID):88 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0043 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:352 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:40 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):562 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):288 W
  • Характеристики:Non-Inductive
  • Высота сидения (макс.):--

Со склада 0

Итого $0.00000