Изображение служит лишь для справки
NP88N04KHE-E1-AY
- Renesas
- Неклассифицированные
- Axial
- SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:Axial
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:--
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:NP88N04KHE-E1-AY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.27
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID):88 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 125°C
- Серия:VTA
- Пакетирование:Bulk
- Размер / Размерность:0.260 Dia x 0.356 L (6.60mm x 9.04mm)
- Допуск:±1%
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Коэффициент температурной зависимости:±12ppm/°C
- Сопротивление:5 Ohms
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Состав:Metal Foil
- Мощность (ватт):0.25W, 1/4W
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Срок службы:--
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Максимальный сливовой ток (ID):88 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0043 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:352 A
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):562 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):288 W
- Характеристики:Non-Inductive
- Высота сидения (макс.):--
Со склада 0
Итого $0.00000