APT21M100J

Name: Microchip APT21M100J
Brand: Microchip
Rating: 5 (7 reviews)

Microchip
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-227-4, miniBLOC
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP
Date Sheet

Lagernummer 39

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Chassis Mount
Корпус / Кейс：SOT-227-4, miniBLOC
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：FDC2060
Сертификация：UL
Производитель：Cutler Hammer, Div of Eaton Co
Монтаж：Panel
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT21M100
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：462W (Tc)
Состояние продукта：Active
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Код упаковки производителя：ISOTOP
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：1.76
Код упаковки компонента：ISOTOP
Максимальный ток утечки (ID)：21 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：POWER MOS 8™
Безоловая кодировка：Yes
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Моментальный ток：60 A
Число контактов：4
Код JESD-30：R-PUFM-X4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：380mOhm @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8500 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：260 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：1000 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.38 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：120 A
Минимальная напряжённость разрушения：1000 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1875 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：-

Со склада 39

Итого $0.00000