Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB13XNE,115
Изображение служит лишь для справки
PMPB13XNE,115
- NXP
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 0603 (1608 Metric)
- MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:0603 (1608 Metric)
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:0603
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:RS73G1J
- Mfr:KOA Speer Electronics, Inc.
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:8A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния:1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
- Рабочая температура:-55°C ~ 155°C
- Серия:RS73
- Размер / Размерность:0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
- Допуск:±0.1%
- Количество выводов:2
- Коэффициент температурной зависимости:±50ppm/°C
- Сопротивление:698 kOhms
- Состав:Thick Film
- Мощность (ватт):0.2W, 1/5W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:16mOhm @ 8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2195 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:36 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
- Высота сидения (макс.):0.022 (0.55mm)
- Оценки:AEC-Q200
Со склада 0
Итого $0.00000