VN1206L-G P013

Name: Microchip VN1206L-G P013
Brand: Microchip
Rating: 5 (7 reviews)

Microchip
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
-
RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Dim：(L x W) 2 mm x 1.6 mm
Допуск ±：20%
Номинальный ток：1100mA
Минимальная температура：-40°C
Промышленная упаковка：Yes
Содержимое：3000pc(s)
Максимальная температура：+85°C
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：VN1206L-GP013
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microchip Technology Inc
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Ранг риска：5.06
Максимальный ток утечки (ID)：0.23 A
Тип：NFPS0806M4R7TR110F
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：O-PBCY-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-92
Сопротивление открытого канала-макс：6 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：120 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：20 pF
Характеристики：Multi-layered
Ширина：1.6mm
Длина：2mm

Со склада 0

Итого $0.00000