Изображение служит лишь для справки






VP1206N5
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал:Aluminium
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Dim:(Ø x H) 6.3 mm x 11 mm
- Допуск ±:20%
- Номинальное напряжение:16V
- Срок службы:2000h
- Минимальная температура:-40°C
- (Ø):6.3mm
- Содержимое:1pc(s)
- Максимальная температура:+105°C
- Емкость (электр.):220µF
- CS:2.5mm
- Описание пакета:TO-220, 3 PIN
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:VP1206N5
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Microchip Technology Inc
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска:5.39
- Максимальный ток утечки (ID):5 A
- Код JESD-609:e0
- Тип:KSH227M016S1A5E11K
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID):5 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:14 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):45 W
- Высота:11mm
Со склада 0
Итого $0.00000