(0)
Изображение служит лишь для справки
VP0650N5
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Вес：1.9kg
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Dim：(L x W x H) 237 x 76 x 186 mm
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：VP0650N5
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Supertex Inc
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SUPERTEX INC
- Ранг риска：5.92
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：0.25 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：HIGH INPUT IMPEDANCE
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：30 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：0.5 A
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：45 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：45 W
- Характеристики：w/o battery
- Ширина：76mm
- Высота：186mm
- Длина：237mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
